[发明专利]一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410065071.X 申请日: 2014-02-26
公开(公告)号: CN103880078A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 张金中;沈育德;李亚巍;胡志高;孟祥建;褚君浩 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C01G29/00 分类号: C01G29/00
代理公司: 上海蓝迪专利事务所 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法,其薄膜材料生长在衬底材料上,镓酸铋分子式为BiGaO3,衬底为Si、LaNiO3/Si、Pt/TiO2/SiO2/Si、Pt/Ti/SiO2/Si其中之一;薄膜材料的空间群为Pcca,晶格常数为a=5.626Å,b=5.081Å,c=10.339Å;所述的BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为(112);制备方法是按铋∶镓为1.1∶1的摩尔比,称量硝酸镧和醋酸镧后,以乙酸为溶剂,在温度为60℃下充分搅拌后得到无色澄清溶液。接着将所得溶液置于衬底上旋涂成膜,在快速退火炉中退火,重复上述过程数次,得到所需厚度的镓酸铋薄膜材料。该材料在光伏太阳能电池和信息存储等领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 镓酸铋铁电 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种镓酸铋铁电薄膜材料,其特征在于镓酸铋铁电薄膜材料生长在衬底材料上,所述镓酸铋分子式为BiGaO3,所述的衬底为Si、LaNiO3/Si、Pt/TiO2/SiO2/Si、Pt/Ti/SiO2/Si其中之一;所述的BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca,晶格常数为a=5.626Å,b=5.081Å,c=10.339Å;所述的BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为(112)。
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