[发明专利]覆晶式LED芯片无效
| 申请号： | 201410065675.4 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103794695A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 庞晓东;王瑞庆;刘镇;陈浩明 | 申请（专利权）人： | 深圳市兆明芯科技控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/10 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种覆晶式LED芯片，包括衬底，由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层；还包括第一电极孔和第二电极孔，第一电极孔暴露出第一导电型半导体层，其孔壁上涂覆有绝缘层，第二电极孔暴露出导电层；第一电极孔内设有第一电极，第一电极的一端位于反射层的正面、另一端与第一导电型半导体层电性接触；第二电极孔内设有第二电极，第二电极的一端位于反射层的正面、另一端与导电层电性接触；第一电极孔均匀分布在LED芯片上，第二电极孔均匀分布在第一电极孔周围。本发明可保证不同的正负电极之间的电阻阻值较为接近，从而使LED芯片发出均匀的光线。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种覆晶式LED芯片，包括衬底，由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层；还包括至少一个第一电极孔和至少一个第二电极孔，所述第一电极孔由所述反射层贯穿至发光层并暴露出第一导电型半导体层，所述第二电极孔贯穿反射层并暴露出导电层，第一电极孔的孔壁上涂覆有绝缘层；第一电极孔内设有第一电极，所述第一电极的一端位于反射层的正面、另一端与第一导电型半导体层电性接触；第二电极孔内设有第二电极，所述第二电极的一端位于反射层的正面、另一端与导电层电性接触；其特征在于，所述第一电极孔均匀分布在LED芯片上，所述第二电极孔均匀分布在第一电极孔周围。
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