[发明专利]具有带有单层光学涂层的窗的经蚀刻小面激光器在审
申请号: | 201410065721.0 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN104022441A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 方瑞禹;朱莉安娜·莫若罗;贾马尔科·罗西;罗伯托·帕洛提;阿里桑德罗·斯塔诺;贾恩卡洛·梅内吉尼 | 申请(专利权)人: | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
主分类号: | H01S5/34 | 分类号: | H01S5/34;H01S5/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 具有带有单层光学涂层的窗的经蚀刻小面激光器。一种边缘发射经蚀刻小面光学半导体结构具有:衬底;作用多量子阱MQW区域,其形成于所述衬底上;及脊形波导,其形成于所述MQW区域上方,沿实质上纵向方向在波导第一经蚀刻末端小面与波导第二经蚀刻末端小面之间延伸。用于形成其中安置所述经蚀刻末端小面的窗的掩模层由直接安置于所述脊形波导上的单一电介质材料组成。由制成第二掩模的相同电介质材料的不多于一个层组成的光学涂层直接安置于所述第二掩模上且直接安置于所述窗上以涂覆所述经蚀刻末端小面。 | ||
搜索关键词: | 具有 带有 单层 光学 涂层 蚀刻 激光器 | ||
【主权项】:
一种用于制作边缘发射光学半导体装置的方法,其包括:在衬底上形成第一多量子阱MQW区域;在所述第一MQW区域上方形成第一掩模,所述第一掩模界定沿实质上纵向方向在第一波导第一末端与第一波导第二末端之间延伸的第一脊形波导区域;形成对应于所述第一脊形波导区域的第一脊形波导;直接在所述第一脊形波导上形成由单一电介质材料组成的第二掩模;通过所述第二掩模执行移除工艺以移除所述第一MQW区域及衬底的部分以产生沿深度方向从所述第一脊形波导延伸到所述衬底且穿过所述第一MQW区域的窗,所述窗界定第一波导经蚀刻末端小面;直接在所述第二掩模上且直接在所述窗上施加光学涂层以涂覆所述第一波导经蚀刻末端小面,所述光学涂层由所述第二掩模的所述电介质材料的不多于一个层组成;穿过所述光学涂层及所述第二掩模蚀刻第一接触开口以暴露所述第一脊形波导;及施加与通过第一接触窗暴露的所述第一脊形波导的一部分接触的第一金属区域。
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