[发明专利]多层存储块兼具单层存储块性能的方法在审
| 申请号： | 201410065882.X | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103870214A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李修录 | 申请（专利权）人： | 深圳市安信达存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 孙伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种多层存储块兼具单层存储块性能的方法包括在每个存储单位上仅设置“0”和“1”两个电位；模拟单层存储块的写入方式将数据写入多层存储块内。本发明采用上述的技术方案，可以使MLC具有SLC高效的写入性能，并且还具有SLC稳定性好以及寿命长的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 存储 兼具 单层 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种多层存储块兼具单层存储块性能的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤： A.在每个存储单位上仅设置“0”和“1”两个电位； B.模拟单层存储块的写入方式将数据写入多层存储块内。
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