[发明专利]高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料无效
| 申请号： | 201410065895.7 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103819186A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘延星;王春明;朱木典;曹育斌 | 申请（专利权）人： | 江苏世星电子科技有限公司;江苏海峰电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222300 江苏省连云*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料，该材料的摩尔比组分组成：95~99.7mol%的SnO2，0.25~2.5mol%的CuO或Cu2O，0.05~2.5mol%的Nb2O5或金属Nb粉料。用本发明材料制得的压敏电阻，其电位梯度E1mA为500~1500V/mm，非线性系数α为20~50，漏电流密度JL为1~10μA/cm2。本发明具有掺杂量相对较少、由氧化物挥发导致的掺杂损失小以及热导率高等优点，多项电学参数性能优良，并且具有压敏电压梯度高的特点，可用于各类电源防雷器、防雷插座、电源适配器、消费类电子电源以及大型设备的电源保护、家庭楼宇的防雷等场所。 | ||
| 搜索关键词： | 电位 梯度 氧化 压敏电阻 材料 | ||
【主权项】：
一种高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料，其特征在于：该材料由以下摩尔百分比的组分组成：SnO2：95~99.7mol%；CuO或Cu2O：0.25~2.5mol%；Nb2O5或金属Nb粉料：0.05~2.5 mol%。
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