[发明专利]一种基于硅硼酸盐的纳米金膜电极方法有效
| 申请号： | 201410066303.3 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103792273A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 曹忠;谢晶磊;寻艳;陈丹;曾巨澜;孙立贤 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410004 湖南省长沙市雨花区万家*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅硼酸盐的纳米金膜电极，该电极包括覆盖有一层纳米级厚度工作金膜（2）和引脚金膜（3）的基片（1），该引脚金膜（3）与外包有塑料绝缘层（4）的金属丝导线（5）通过焊锡（6）相连接；所述基片（1）的制备是采用磁控溅射镀膜法，即在抛光的硅硼酸盐基板（11）上逐步溅射沉积二氧化锡膜层（12）、金属铬膜层（13）、铜锰合金膜层（14）；铜锰合金膜层（14）经抛光处理后，再采用掩膜版法在其表面上溅射沉积工作金膜（2）和引脚金膜（3），所沉积金膜的厚度为20~400nm。该纳米金膜电极制作简单、成本低廉、使用方便，且金膜工作面积大、平整度高、易进行表面修饰，优于传统电化学的金盘电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硼酸盐 纳米 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅硼酸盐的纳米金膜电极，其特征在于该电极包括覆盖有一层纳米级厚度工作金膜（2）和引脚金膜（3）的基片（1），该引脚金膜（3）与外包有塑料绝缘层（4）的金属丝导线（5）通过焊锡（6）相连接，连接处用环氧树脂胶（7）包裹密封。
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