[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410066332.X | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779427A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;彭俊彪;王磊;肖鹏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，设置有栅极、氧化物半导体层、位于栅极和氧化物半导体层之间的绝缘层、分别电性连接于氧化物半导体层两端的源极和漏极、覆设于源极、漏极及氧化物半导体层的裸露面的保护层，保护层的材料为含吸电子基团的有机绝缘材料。制备方法是采用旋涂、打印、印刷、滴涂或浸泡方法将含吸电子基团的有机绝缘材料制备作为保护层覆设于源极、漏极及氧化物半导体层的裸露面。本发明通过含吸电子基团的有机物保护层与氧化物半导体层接触来降低氧化物半导体层表面的本征电子浓度，同时形成内建电场，实现往正向调控阈值电压，同时制备简单，便于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，设置有栅极、氧化物半导体层、位于栅极和氧化物半导体层之间的绝缘层、分别电性连接于所述氧化物半导体层两端的源极和漏极、覆设于所述源极、漏极及所述氧化物半导体层的裸露面的保护层，其特征在于：所述保护层的材料为含吸电子基团的有机绝缘材料。
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