[发明专利]半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201410066498.1 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104037229B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 姜守昶;金荣载 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,韩芳 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括沟槽，设置在基底内，沟槽包括宽度比下沟槽部分的宽度宽的上沟槽部分；栅极，设置在沟槽中；层间绝缘层图案，设置在上沟槽部分中的栅极上；源极区域，设置在基底内并且接触上沟槽部分的侧壁；主体区域，设置在基底中的源极区域的下面；以及接触沟槽，设置在主体区域的上面并且填充有导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基底的外延层内形成下沟槽部分；在下沟槽部分的表面上形成第一氧化物层；在下沟槽部分内的第一氧化物层上形成牺牲埋层图案；去除第一氧化物层的暴露部分，以暴露下沟槽部分的侧壁；在下沟槽部分的侧壁和牺牲埋层图案的表面上形成第二氧化物层；去除第二氧化物层、牺牲埋层图案和第一氧化物层，以在下沟槽部分的侧壁上形成上沟槽部分，上沟槽部分的宽度比下沟槽部分的宽度宽；在下沟槽部分的表面、上沟槽部分的表面和基底的外延层的表面上形成栅极绝缘层；通过在下沟槽部分和上沟槽部分内的栅极绝缘层上沉积多晶硅填充沟槽；在外延层内形成主体区域；通过蚀刻多晶硅在下沟槽部分内形成栅极；通过离子注入到上沟槽部分的侧壁中形成源极区域；在上沟槽部分内的栅极绝缘层上形成层间绝缘层图案；形成接触沟槽以使源极区域和主体区域接触；在接触沟槽上形成重掺杂杂质区域，重掺杂杂质区域具有杂质类型与主体区域的杂质类型相同的杂质并且具有比主体区域的杂质浓度高的杂质浓度；以及用金属层填充接触沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司，未经美格纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410066498.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
