[发明专利]一种IGBT器件用双层导电膜电连接结构在审
| 申请号： | 201410066895.9 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104867891A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 吴磊 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件用双层导电膜电连接结构，包括底板、设于所述底板上的第一导电薄膜、设于所述第一导电薄膜上的多个IGBT芯片和二极管芯片，所述IGBT芯片的发射极、二极管芯片和外部电路之间，各个IGBT芯片的栅极之间以及各个IGBT芯片的栅极与外部电路之间通过第二导电薄膜实现电性连接；本发明通过下层导电薄膜取代传统的DBC，减少了IGBT芯片到底板传导的距离，再采用导热绝缘材料将导电薄膜与底板贴在一起，进一步提高了IGBT器件的散热能力，同时也省却了繁琐的焊接工艺，保证产品具有良好的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 双层 导电 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件用双层导电膜电连接结构，其特征在于：包括底板、设于所述底板上的第一导电薄膜、设于所述第一导电薄膜上的多个IGBT芯片和二极管芯片，所述IGBT芯片的发射极、二极管芯片和外部电路之间，各个IGBT芯片的栅极之间以及各个IGBT芯片的栅极与外部电路之间通过第二导电薄膜实现电性连接。
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