[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在分裂栅极构造的MONOS型存储器单元中，防止在选择栅电极与存储器栅电极之间引起短路，而使半导体装置的可靠性提高。在具有相互邻接并在第1方向上延伸的选择栅电极（CG1）以及存储器栅电极（MG1）的MONOS存储器中，通过帽绝缘膜（CA1）覆盖第1方向中的选择栅电极（CG1）的端部的分流部（CS1）以外的区域的选择栅电极（CG1）的上表面。存储器栅电极（MG1）相对从帽绝缘膜（CA1）露出的分流部（CS1）的上表面、与帽绝缘膜（CA1）的边界，在帽绝缘膜（CA1）侧终止。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第1层叠膜，隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上，由在沿着所述半导体基板的主面的第1方向上延伸的第1选择栅电极以及所述第1选择栅电极上的第1帽绝缘膜构成；第1存储器栅电极，隔着包括第1电荷积蓄层的第2栅极绝缘膜而与所述第1选择栅电极的在所述第1方向上延伸的第1侧壁的相反侧的第2侧壁邻接，所述第1存储器栅电极在所述第1方向上延伸；第1供电部，是所述第1方向上的所述第1选择栅电极的端部，在平面视图中所述第1供电部从所述第1帽绝缘膜露出；以及第1栓，与所述第1供电部的上表面连接，所述第1存储器栅电极相比于平面视图中的所述第1供电部以及所述第1帽绝缘膜之间的边界在所述第1方向上更靠所述第1帽绝缘膜侧终止。