[发明专利]一种基于Ce:YAG晶片的复合结构及制作方法有效
申请号: | 201410067883.8 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN103805196A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 曹顿华;梁月山;马可军 | 申请(专利权)人: | 昆山开威电子有限公司 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 魏亮芳 |
地址: | 215345 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于Ce:YAG晶片的复合结构,包括Ce:YAG晶片及固定在所述Ce:YAG晶片上的红光发光层,同时还公开了该基于Ce:YAG晶片的复合结构的制作方法,形成一种可实现从绿光到红光宽波段发光的复合光学结构,在探测设备、照明器件领域具有广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 ce yag 晶片 复合 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于Ce:YAG晶片的复合结构,其特征在于:包括Ce:YAG晶片及固定在所述Ce:YAG晶片上的红光发光层。
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