[发明专利]刻蚀方法与刻蚀组成物有效
申请号: | 201410068712.7 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN104882374B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 杨大弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种刻蚀方法与刻蚀组成物。该刻蚀方法包括首先,提供衬底;接着,进行刻蚀,以在上述衬底中形成至少一开口;继而,在开口中形成辅助刻蚀层,以覆盖至少一刻蚀残留物;上述辅助刻蚀层包括载体、介质以及包覆于载体中的刻蚀成分;再来,对该辅助刻蚀层进行处理工艺,上述处理工艺包括对上述辅助刻蚀层施加能量或使上述辅助刻蚀层暴露于气体下,使得上述辅助刻蚀层中的载体破裂,藉此释放出上述刻蚀成分,并对上述刻蚀残留物进行刻蚀。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 组成 | ||
【主权项】:
一种刻蚀方法,包括:提供一衬底;进行一刻蚀,以在该衬底中形成至少一开口;以及进行一辅助刻蚀,以移除该开口中的至少一刻蚀残留物,进行该辅助刻蚀包括:在该开口中形成一辅助刻蚀层,以覆盖该刻蚀残留物,其中该辅助刻蚀层中包括一刻蚀成分;以及对该辅助刻蚀层进行一处理工艺,藉此使该刻蚀成分刻蚀该刻蚀残留物;其中该辅助刻蚀层包括:介质、位于该介质中的载体,及包覆在该载体中的刻蚀成分;该介质为流体,以形成具有流动性的辅助刻蚀层;该处理工艺包括:对该辅助刻蚀层施加一能量或使该辅助刻蚀层暴露于一气体下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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