[发明专利]刻蚀方法与刻蚀组成物有效

专利信息
申请号: 201410068712.7 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN104882374B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 杨大弘 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L27/11551;H01L27/11578
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种刻蚀方法与刻蚀组成物。该刻蚀方法包括首先,提供衬底;接着,进行刻蚀,以在上述衬底中形成至少一开口;继而,在开口中形成辅助刻蚀层,以覆盖至少一刻蚀残留物;上述辅助刻蚀层包括载体、介质以及包覆于载体中的刻蚀成分;再来,对该辅助刻蚀层进行处理工艺,上述处理工艺包括对上述辅助刻蚀层施加能量或使上述辅助刻蚀层暴露于气体下,使得上述辅助刻蚀层中的载体破裂,藉此释放出上述刻蚀成分,并对上述刻蚀残留物进行刻蚀。
搜索关键词: 刻蚀 方法 组成
【主权项】:
一种刻蚀方法,包括:提供一衬底;进行一刻蚀,以在该衬底中形成至少一开口;以及进行一辅助刻蚀,以移除该开口中的至少一刻蚀残留物,进行该辅助刻蚀包括:在该开口中形成一辅助刻蚀层,以覆盖该刻蚀残留物,其中该辅助刻蚀层中包括一刻蚀成分;以及对该辅助刻蚀层进行一处理工艺,藉此使该刻蚀成分刻蚀该刻蚀残留物;其中该辅助刻蚀层包括:介质、位于该介质中的载体,及包覆在该载体中的刻蚀成分;该介质为流体,以形成具有流动性的辅助刻蚀层;该处理工艺包括:对该辅助刻蚀层施加一能量或使该辅助刻蚀层暴露于一气体下。
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