[发明专利]纳米结构的转移方法有效
申请号: | 201410070671.5 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104876181B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 何宇俊;李东琦;李天一;魏洋;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B81C1/00;B82Y40/00 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种纳米结构的转移方法,包括以下步骤提供一生长基底,该生长基底表面具有多个纳米结构;提供一粘胶层覆盖所述多个纳米结构;通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个,使所述粘胶层远离所述生长基底,从而使所述多个纳米结构与所述生长基底分离,并使所述多个纳米结构从所述粘胶层暴露出来;提供一目标基底,将该粘胶层设置在所述目标基底上,并使所述多个纳米结构与所述目标基底的表面接触;在所述粘胶层远离目标基底的表面设置一金属层,形成一纳米复合结构,所述金属层完全将所述粘胶层覆盖;提供一有机溶剂,将所述纳米复合结构放入该有机溶剂中,去除所述粘胶层和金属层。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 转移 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米结构的转移方法,包括以下步骤:提供一生长基底,该生长基底表面具有一纳米结构层;提供一粘胶层覆盖所述纳米结构层,该粘胶层具有相对的第一表面和第二表面,所述纳米结构层与所述第一表面接触;通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个,使所述粘胶层远离所述生长基底,从而使所述纳米结构层被所述粘胶层粘附并与所述生长基底分离,至少部分纳米结构层从所述粘胶层暴露出来;提供一目标基底,将该粘胶层与所述目标基底层叠设置,使所述纳米结构层位于所述粘胶层与所述目标基底之间,并与所述目标基底接触设置;在所述粘胶层的第二表面设置一金属层;以及提供一有机溶剂,使该有机溶剂从所述粘胶层的第一表面渗透,使所述粘胶层连同所述金属层与所述纳米结构层及目标基底分离。
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