[发明专利]于集成电路产品的不同结构上形成不对称间隔件的方法

摘要

本文涉及于集成电路产品的不同结构上形成不对称间隔件的方法，揭示一种示范方法，其包含下列步骤在半导体基板之上形成结构，进行保形沉积工艺以形成未掺杂间隔件材料层于该结构之上，进行倾角离子注入工艺以形成掺杂间隔件材料区于该未掺杂间隔件材料层中，同时让该未掺杂间隔件材料层的其它部份不被掺杂，以及在进行该倾角离子注入工艺后，进行移除该未掺杂间隔件材料层的该等未掺杂部份的至少一个蚀刻工艺，藉此产生由邻近该结构的至少一个侧面但不是所有侧面的该掺杂间隔件材料构成的侧壁间隔件。

主权项

一种形成间隔件的方法，包含：在半导体基板之上形成结构；进行保形沉积工艺，以在该结构之上形成未掺杂间隔件材料层；进行倾角离子注入工艺，以在该未掺杂间隔件材料层中形成掺杂间隔件材料区，并使该未掺杂间隔件材料层的其它部分不被掺杂；以及在进行该倾角离子注入工艺后，进行移除该未掺杂间隔件材料层的该未掺杂部分的至少一个蚀刻工艺，以及藉此产生由邻近该结构的至少一个侧面但不是所有侧面的该掺杂间隔件材料所构成的侧壁间隔件。