[发明专利]一种半导体器件量测方法有效
| 申请号： | 201410071986.1 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882389B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体器件量测方法，由于蚀刻完成后的半导体器件形成光阻层，其中，所述光阻层外表面为蚀刻过程中产生的聚合物包覆，该量测方法通过对应所述聚合物材质的电浆，预处理所述半导体器件，以剥离所述光阻层外表面包覆的聚合物，采用量测光源设备量测所述电浆预处理后的半导体器件，从而使得量测光源设备光强的稳定性大大提高，光源部件如镜头等的使用寿命也得到了大大提升，避免所述现有的需频繁的购买及更换光源部件、机台停机等的高额成本付出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件量测方法，其特征在于，包括：蚀刻完成后的半导体器件形成光阻层，其中，所述光阻层外表面为蚀刻过程中产生的聚合物包覆；通过对应所述聚合物材质的电浆，预处理所述半导体器件，以剥离所述光阻层外表面包覆的聚合物；采用量测光源设备量测所述电浆预处理后的半导体器件；所述半导体器件为多晶硅材质；所述聚合物为溴化硅，所述电浆预处理为氧气电浆预处理；所述预处理为：多晶硅刻蚀结束后，通过氧气电浆剥离多晶硅表面的一层光阻，然后使用泵抽走被剥离下来的光阻层，从而同时抽走光阻层外表面包裹的溴化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
