[发明专利]用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法有效
| 申请号： | 201410072008.9 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104049468B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞庆;陈政宏;陈家桢;张书豪;简上杰;简铭进;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法，系统和方法包括提供用于测量衬底上的第一坐标处的衬底的第一形貌高度并且测量衬底上的第二坐标处的衬底的第二形貌高度。所测量的第一和第二形貌高度可以被提供为晶圆图。然后，使用晶圆图对衬底实施曝光工艺。曝光工艺可以包括当曝光衬底上的第一坐标时，使用第一焦点，并且当曝光衬底上的第二坐标时，使用第二焦平面。使用第一形貌高度确定第一焦点，并且使用第二形貌高度确定第二焦点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 制造 实施 光刻 工艺 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件制造的方法，包括：测量衬底上的第一坐标点处的第一形貌高度；测量所述衬底上的第二坐标点处的第二形貌高度；提供所测量的所述第一形貌高度和所述第二形貌高度作为晶圆图；以及使用所述晶圆图对所述衬底实施曝光工艺，其中，所述曝光工艺包括：当曝光所述衬底上的第一坐标点时，使用第一焦点，使用所述第一形貌高度来确定所述第一坐标点处的所述第一焦点；以及当曝光所述衬底上的第二坐标点时，使用第二焦点，使用所述第二形貌高度来确定所述第二坐标点处的所述第二焦点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410072008.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
