[发明专利]一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法

摘要

本发明是一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法；蒸发发射极金属钛/铂/金；淀积二氧化硅薄膜；蒸发耐刻蚀金属掩膜层作为发射极金属的刻蚀掩膜；涂胶并完成亚微米发射极图形光刻；利用感应离子耦合刻蚀机刻蚀金属掩膜；去除光刻胶；利用ICP刻蚀SiO₂层以及发射极金属；用氢氟酸腐蚀液腐蚀SiO₂层并剥离金属掩膜层；优点：采用金属掩膜层作为刻蚀掩膜，然后以该金属作为掩膜刻蚀发射极金属；在金属掩膜层与发射极金属之间插入了一层SiO₂层，可在ICP刻蚀完发射极金属后，利用HF腐蚀液腐蚀掉SiO₂层从而剥离掉金属掩膜层。避免了传统蒸发剥离工艺制作亚微米发射极时遇到的金属脱落以及金属边缘不整齐的问题。

主权项

一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法，其特征是该方法包括以下步骤：1）在磷化铟基异质结晶体管外延材料上依次蒸发发射极金属Ti、Pt、Au，每层材料厚度范围为10纳米到1微米；2）在发射极金属上淀积SiO₂薄膜，厚度范围为10纳米到1微米；在完成发射极金属刻蚀后，利用HF腐蚀液腐蚀SiO₂的同时，即可直接剥离掉SiO₂上面的刻蚀掩膜层；3）在SiO₂薄膜上蒸发耐刻蚀金属层作为发射极的刻蚀掩膜，厚度范围为10纳米到1微米；4）涂胶并完成亚微米发射极图形光刻工艺；5）以光刻胶为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀金属掩膜层，然后去除光刻胶；6）以金属掩膜层作为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀SiO₂层以及发射极金属Ti、Pt、Au；7）用HF腐蚀液腐蚀SiO₂层并剥离金属掩膜层。