[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410073328.6 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882379B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 孙浩;李勇;张帅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个鳍片，在鳍片之间形成有隔离结构；实施离子注入，以调节鳍片的阈值电压；在鳍片的未被所述隔离结构遮蔽的表面形成无定型硅层，以阻止后续实施的快速热退火所引发的所述离子注入的注入离子剂量的损失；实施快速热退火，使无定型硅层完全重晶态化。根据本发明，通过在鳍片的未被隔离结构遮蔽的表面形成无定型硅层来阻止所述快速热退火所引发的注入离子剂量的损失，在实施所述快速热退火之后，无定型硅层无需去除，鳍片的表面结构不会受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，在所述鳍片之间形成有隔离结构；实施离子注入，以调节所述鳍片的阈值电压；在所述鳍片的未被所述隔离结构遮蔽的表面形成无定型硅层，以阻止后续实施的快速热退火所引发的所述离子注入的注入离子剂量的损失；实施所述快速热退火，使所述无定型硅层完全重晶态化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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