[发明专利]显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备无效
申请号: | 201410073898.5 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104037194A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 中畑祐治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本文涉及显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备,其中,提供了一种制造显示单元的方法,其包括:为各个像素形成多个第一电极;形成显示功能层;形成第二电极,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;形成第三电极,所述第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;并且在所述第二电极和所述第三电极之间形成第一垫片和第二垫片,其中,所述第二垫片具有的高度比所述第一垫片的高度低。所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。 | ||
搜索关键词: | 显示 单元 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种显示单元,包括:多个第一电极,被提供给各个像素;显示功能层,设置于所述第一电极上;第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;第一垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间;以及第二垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间,并且具有的高度比所述第一垫片的高度低,其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的