[发明专利]一种Flash存储器的高效率存储方法有效
| 申请号： | 201410074367.8 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN103823640B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 毛应龙;曹璟华;徐衍胜;张建中 | 申请（专利权）人： | 山西科泰航天防务技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)14109 | 代理人： | 崔雪花 |
| 地址： | 030006 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明一种Flash存储器的高效率存储方法，属于Flash存储器的数据存储方法的技术领域；解决的技术问题为提供一种在数据量小和数据存储次数较频繁的情况下，能够使存储器的存储效率较高的Flash存储器的高效率存储方法；采用的技术方案为一种Flash存储器的高效率存储方法，以块为单位将Flash存储器划分为不同的数据存储区域，再将每个数据存储区域均划分为多个缓冲块和多个数据块，其中，每个缓冲块又分为多个缓冲页，每个数据块又分为多个数据页，当接收到数据后，先将数据写入相应的数据存储区域中缓冲块的缓冲页中，当缓冲页写满后再将本页的数据存储至数据块的数据页中；适用于消防数据存储领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 flash 存储器 高效率 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种Flash 存储器的高效率存储方法，其特征在于：以块为单位将Flash 存储器划分为不同的数据存储区域，再将每个数据存储区域均划分为多个缓冲块和多个数据块，其中，一个数据存储区域中，一个数据块的逻辑地址的前一逻辑地址和后一逻辑地址均为不同缓冲块的逻辑地址，一个缓冲块的逻辑地址的前一逻辑地址和后一逻辑地址均为不同数据块的逻辑地址，每个缓冲块又分为多个缓冲页，每个数据块又分为多个数据页，当接收到新数据后，先将新数据写入相应的数据存储区域中缓冲块的缓冲页中，当缓冲页写满后再将本页的数据存储至数据块的数据页中，具体包括以下步骤：（1.1）接收数据；（1.2）将数据写入缓冲块的缓冲页；（1.3）判断缓冲块的缓冲页是否写满；（1.4）如已写满，则进入步骤（1.5），否则，进入步骤（1.8）；（1.5）将缓冲块的前一缓冲页数据追加新数据后存至数据块的数据页；（1.6）擦除整个缓冲块的内容；（1.7）缓冲块地址+1，缓冲页地址置0，数据页地址+1，然后返回步骤（1.1）；（1.8）将缓冲块的前一缓冲页数据追加新数据后存至当前缓冲页，缓冲页地址+1，最后返回步骤（1.1）。
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