[发明专利]晶圆清洗方法在审
申请号: | 201410074999.4 | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN104900480A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 杨贵璞;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B3/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种晶圆清洗方法,利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗,该方法包括:旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动,在兆声波发生器的运动过程中,改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布。本发明通过改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布,使晶圆的中心点所受到的兆声波能量与晶圆的其他位置所受到的兆声波能量一致,避免了晶圆的中心点处的结构层在清洗过程中受到损伤或者在晶圆的中心产生凹坑。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆清洗方法,利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗,其特征在于,包括:旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动,在兆声波发生器的运动过程中,改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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