[发明专利]一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料及制备方法有效
| 申请号： | 201410075591.9 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103820679A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 赵浩峰;王玲;陶昭灵;郑泽昌;陆阳平;何晓蕾;潘子云;徐小雪;王贺强;赵佳玉;王冰;邱奕婷;宋超;谢艳春 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | C22C19/07 | 分类号： | C22C19/07;C22C1/03;H01F1/147;H01F41/00 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣 |
| 地址： | 210044 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料及制备方法，该合金薄带材料具有高的高饱和磁感应强度。该制备方法工艺简单，生产成本低，适于工业化生产。该钴基高饱和磁感应强度薄带材料中各成分的重量百分含量为：Sm0.01％～0.05％,Ga0.01％～0.05％,B6％～9％,Te0.5％～0.9％，S0.05％～0.09％，Al4％～6％，Fe1％～4％,Si1.4％～1.9％，其余为Co。该材料的组织特点为纳米晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钴基高 饱和 感应 强度 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料，其特征是：该材料中各成分的重量百分含量为：Sm 0.01％～0.05％，Ga 0.01％～0.05％，B 6％～9％，Te 0.5％～0.9％，S 0.05％～0.09％，Al 4％～6％，Fe 1％～4％，Si 1.4％～1.9％，其余为Co。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京信息工程大学，未经南京信息工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410075591.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
