[发明专利]具有金属栅极的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410075694.5 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104733298B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;陈彦羽;陈韦任;李昌盛;张伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有金属栅极的半导体结构及其制造方法。用于制造金属栅极结构的方法，包括在栅极沟槽中形成高k介电层；在高k介电层上方形成蚀刻停止层；通过经由原子层沉积（ALD）操作形成具有晶界工程层、掺杂层以及覆盖层的顺序的三层，在蚀刻停止层上方形成功函调整层，晶界工程层被配置为允许掺杂剂原子渗透穿过，掺杂层被配置为将掺杂剂原子提供给晶界工程层，并且覆盖层被配置为防止掺杂层氧化；以及填充金属，以使栅极沟槽填平。在诸如约200摄氏度至约350摄氏度的各个温度下，通过ALD操作来制备晶界工程层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造金属栅极结构的方法，包括：在栅极沟槽中形成高k介电层；在所述高k介电层上方形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方通过形成具有晶界工程层、掺杂层以及覆盖层的顺序的三层来形成功函调整层，所述晶界工程层被配置为允许掺杂剂原子渗透穿过，所述掺杂层被配置为将所述掺杂剂原子提供给所述晶界工程层，并且所述覆盖层被配置为防止所述掺杂层氧化；以及填充金属以使所述栅极沟槽填平；其中，形成所述晶界工程层包括：在200摄氏度至350摄氏度的温度范围内，执行ALD操作以调整所述掺杂层中的掺杂原子在所述晶界工程层中的渗透度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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