[发明专利]一种阻变存储器结构及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410075803.3 申请日: 2014-03-03
公开(公告)号: CN103824938A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 王欣然;钱敏 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;G11C13/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 姚亮
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种阻变存储器结构及其制备方法。本发明的阻变存储器结构的底电极和/或顶电极为石墨烯。本发明还提供了上述阻变存储器结构的制备方法,其包括利用石墨烯制备阻变存储器结构的底电极和/或顶电极的步骤。本发明所提供的阻变存储器结构以大面积的石墨烯作为器件的底电极和/或顶电极,代替传统的金属,由此制作得到的含有石墨烯的阻变存储器件,与传统金属/氧化物/金属器件相比,开启和关闭功耗分别能够大大降低,并保持开关比、循环次数等方面性能相当。在透明柔性的聚萘二甲酸乙二醇酯衬底上制作上述器件结构,能够得到透明、可弯折的超低功耗柔性透明阻变存储器。
搜索关键词: 一种 存储器 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种阻变存储器结构,其中,该阻变存储器结构的底电极和/或顶电极为石墨烯。
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