[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410076369.0 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104064586B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 太田千春;清水达雄;西尾让司;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/167;H01L21/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王灵菇,白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备具有第一面和第二面的n型SiC衬底、设置在第一面上的SiC层、设置在第一面侧的第一电极和设置在第二面上的第二电极，所述n型SiC衬底含有p型杂质和n型杂质，当将p型杂质记为元素A、将n型杂质记为元素D时，元素A与元素D的组合为Al（铝）、Ga（镓）或In（铟）与N（氮）的组合以及B（硼）与P（磷）的组合中的至少一种组合，构成组合的元素A的浓度与元素D的浓度之比大于0.40且小于0.95，构成组合的元素D的浓度为1×1018cm‑3以上且1×1022cm‑3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：具有第一面和第二面的n型SiC衬底、设置在所述第一面上的SiC层、设置在所述第一面侧的第一电极、和设置在所述第二面上的第二电极；其中，所述n型SiC衬底含有p型杂质和n型杂质，当将所述p型杂质记为元素A、将所述n型杂质记为元素D时，所述元素A与所述元素D的组合为Al(铝)、Ga(镓)或In(铟)与N(氮)的组合以及B(硼)与P(磷)的组合中的至少一种组合，构成所述组合的所述元素A的浓度与所述元素D的浓度之比为0.50以上且小于0.95，构成所述组合的所述元素D的浓度为1×1018cm‑3以上且1×1022cm‑3以下。
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