[发明专利]晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201410076850.X | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104900519A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有第一类型掺杂层；在第一类型掺杂层表面形成牺牲层；对牺牲层两侧的第一类型掺杂层进行第二类型离子注入，形成第二掺杂区和位于第二掺杂区之间的第一掺杂区；在所述牺牲层侧壁表面形成牺牲侧墙；形成覆盖所述牺牲层一侧的第二掺杂区的掩膜层；以所述掩膜层、牺牲层和牺牲侧墙为掩膜，对位于牺牲层另一侧的第二掺杂区进行第一类型离子注入，使部分所述第二掺杂区转变为第三掺杂区，所述第三掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型相反；去除所述掩膜层后，在半导体衬底上形成介质层；去除所述牺牲层，形成凹槽；在所述凹槽内形成栅极结构。上述方法可以提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一类型掺杂层；在所述第一类型掺杂层表面形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分第一类型掺杂层；对牺牲层两侧的第一类型掺杂层进行第二类型离子注入，形成第二掺杂区，第二掺杂区之间的部分第一类型掺杂层作为第一掺杂区，部分第二掺杂区位于牺牲层下方，第二掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相反；在所述牺牲层侧壁表面形成牺牲侧墙；形成覆盖所述牺牲层一侧的第二掺杂区的掩膜层；以所述掩膜层、牺牲层和牺牲侧墙为掩膜，对位于牺牲层另一侧的第二掺杂区进行第一类型离子注入，使部分所述第二掺杂区转变为第三掺杂区，所述第三掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型相反，所述第三掺杂区与第一掺杂区之间具有未被转变的部分第二掺杂区；去除所述掩膜层后，在半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与牺牲层表面齐平；去除所述牺牲层，形成凹槽；在所述凹槽内形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
