[发明专利]垂直纳米线MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410076899.5 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104900696B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种垂直纳米线MOS晶体管及其形成方法。其中，所述垂直纳米线MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有阱区；在所述阱区内形成第一重掺杂区；在所述半导体衬底表面形成单晶半导体层；蚀刻所述单晶半导体层和部分厚度的所述第一重掺杂区，直至所述单晶半导体层形成垂直纳米线，所述第一重掺杂区被蚀刻形成第一子掺杂区和第二子掺杂区；在所述半导体衬底上表面、所述阱区上表面、所述第一重掺区上表面及所述垂直纳米线侧面形成介质层；形成金属栅层包围位于所述垂直纳米线侧面的所述介质层；对所述垂直纳米线顶部进行重掺杂形成第二重掺杂区。所述形成方法简化了工艺，降低成本，适于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直纳米线MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有阱区；在所述阱区内形成第一重掺杂区，所述第一重掺杂区上表面与所述阱区上表面齐平；在所述半导体衬底上表面形成单晶半导体层；蚀刻所述单晶半导体层和部分厚度的所述第一重掺杂区，蚀刻后剩余的所述单晶半导体层作为垂直纳米线，蚀刻后剩余的所述第一重掺杂区分为第一子掺杂区和第二子掺杂区，所述第一子掺杂区的横截面与所述垂直纳米线的横截面相同；在所述半导体衬底上表面、所述阱区上表面、所述第一重掺杂区上表面及所述垂直纳米线侧面形成介质层；形成金属栅层包围位于所述垂直纳米线侧面的所述介质层；在形成所述金属栅层之后，对所述垂直纳米线顶部进行重掺杂形成第二重掺杂区。
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