[发明专利]半导体装置、半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体装置、半导体结构的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层；采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层；进行测量步骤，测量平坦化后的介质层厚度；判断测量的介质层厚度是否达到目标厚度，若平坦化后的介质层的厚度未达到目标厚度，获得测量的介质层的厚度与目标厚度的差异值，并基于该差异值进行沉积步骤，在平坦化后的介质层上形成第一补偿介质层；若平坦化后的介质层的厚度达到目标厚度，则结束。本发明的方法通过自动测量和反馈的方式形成第一介质补偿层，提高了形成的介质层厚度的精度。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：第一沉积单元，基于第一沉积指令，沉积介质层；化学机械研磨单元，基于研磨指令，对介质层进行平坦化；第二沉积单元，基于第二沉积指令，沉积补偿介质层；测量单元，基于测量指令，测量介质层的厚度或者介质层和补偿介质层的总厚度，并将厚度测量值反馈给控制单元；控制单元，用于发出第一沉积指令、研磨指令和测量指令；并根据厚度测量值，判断介质层的厚度或者介质层和补偿介质层的总厚度是否达到目标厚度，若未到达目标厚度，发出第二沉积指令。