[发明专利]金属与N型锗接触的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201410077067.5 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103887228A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 周志文;沈晓霞;李世国 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属与N型锗接触的制备方法与应用。该方法包括:对N型锗衬底进行表面清洗；后在N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3～10nm的N型掺杂的半导体层；再在N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。上述金属与N型锗接触的制备方法通过插入特定厚度的N型掺杂的半导体层，不仅有利于削弱费米能级钉扎，降低电子势垒，减小肖特基势垒电阻，且有利于降低隧穿电阻。同时，本发明的N型掺杂的半导体层在降低隧穿电阻的同时，也使隧穿电阻与N型掺杂的半导体层厚度的相关性减弱，降低了在N型掺杂的半导体层的制备工艺中对N型掺杂的半导体层厚度均匀性的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 接触 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种金属与N型锗接触的制备方法，包括如下步骤：对N型锗衬底进行表面清洗；在所述N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3～10nm的N型掺杂的半导体层；在所述N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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