[发明专利]利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法

摘要

本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。

主权项

一种采用原子层沉积方法在石墨烯上形成高K介质薄膜的方法，具体步骤为：提供需要生长高K介质的石墨烯样品；把石墨烯样品放入电场中，通过电荷感应使石墨烯带电；或者在石墨烯上通电，使石墨烯带电；然后在石墨烯样品上通入水蒸气，由于石墨烯带电形成极化陷阱，能物理吸附水分子；利用原子层沉积方法在样品上生长高K介质薄膜。