[发明专利]高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置有效
申请号: | 201410078294.X | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103887306B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 彭政杰;陈志豪;姜信钦 | 申请(专利权)人: | 晶焱科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是揭露一种高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置,包含一第一高电压N通道金氧半场效晶体管(HV NMOSFET),其是连接一高电压焊垫与一低电压端,并接收高电压焊垫的高电压以正常运作。高电压焊垫与第一高电压N通道金氧半场效晶体管更连接一高电压静电放电(ESD)保护单元,其在正常操作下并不影响正常电路功能,但是,在高电压焊垫发生静电放电事件时,可以在接收高电压焊垫的静电放电电压后,有效率地释放此静电放电事件的静电放电电流。高电压静电放电保护单元与低电压端连接一电压箝位单元,其是经由高电压静电放电保护单元接收静电放电电压,以释放宣泄静电放电电流。 | ||
搜索关键词: | 电压 开漏极 静电 放电 esd 保护装置 | ||
【主权项】:
一种高电压开漏极静电放电保护装置,其特征在于,包含:一第一高电压N通道金氧半场效晶体管,其连接一高电压焊垫与一低电压端,并接收该高电压焊垫的高电压以正常运作;一高电压静电放电保护单元,其连接该高电压焊垫与该第一高电压N通道金氧半场效晶体管,并阻挡该高电压,且接收该高电压焊垫的正静电放电电压或负静电放电电压,以在该高电压焊垫发生静电放电事件时,分别释放一第一静电放电电流或一第二静电放电电流;以及一第一电压箝位单元,连接该高电压静电放电保护单元与该低电压端,并经由该高电压静电放电保护单元接收该正静电放电电压,以释放该第一静电放电电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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