[发明专利]高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置有效

专利信息
申请号: 201410078294.X 申请日: 2014-03-05
公开(公告)号: CN103887306B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 彭政杰;陈志豪;姜信钦 申请(专利权)人: 晶焱科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明是揭露一种高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置,包含一第一高电压N通道金氧半场效晶体管(HV NMOSFET),其是连接一高电压焊垫与一低电压端,并接收高电压焊垫的高电压以正常运作。高电压焊垫与第一高电压N通道金氧半场效晶体管更连接一高电压静电放电(ESD)保护单元,其在正常操作下并不影响正常电路功能,但是,在高电压焊垫发生静电放电事件时,可以在接收高电压焊垫的静电放电电压后,有效率地释放此静电放电事件的静电放电电流。高电压静电放电保护单元与低电压端连接一电压箝位单元,其是经由高电压静电放电保护单元接收静电放电电压,以释放宣泄静电放电电流。
搜索关键词: 电压 开漏极 静电 放电 esd 保护装置
【主权项】:
一种高电压开漏极静电放电保护装置,其特征在于,包含:一第一高电压N通道金氧半场效晶体管,其连接一高电压焊垫与一低电压端,并接收该高电压焊垫的高电压以正常运作;一高电压静电放电保护单元,其连接该高电压焊垫与该第一高电压N通道金氧半场效晶体管,并阻挡该高电压,且接收该高电压焊垫的正静电放电电压或负静电放电电压,以在该高电压焊垫发生静电放电事件时,分别释放一第一静电放电电流或一第二静电放电电流;以及一第一电压箝位单元,连接该高电压静电放电保护单元与该低电压端,并经由该高电压静电放电保护单元接收该正静电放电电压,以释放该第一静电放电电流。
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