[发明专利]防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构

摘要

本发明提供一种防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构，其中，该方法包括步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底系用于多层离子注入、多层外延生长形成超结结构；在该半导体衬底的背面形成第一背封保护层，该第一背封保护层为正硅酸乙酯层；在该第一背封保护层的表面形成第二背封保护层。本发明在原背封保护层的基础上，增加一层新的较硬的背封保护层，避免了多次外延生长和其他工艺造成背封结构损伤，从而不会为下次外延生长提供生长核，杜绝了在晶圆片背面形成多晶颗粒。该新增的背封保护层在外延生长时，整个背面都可均匀地生长外延层，使衬底所在的晶圆片背面始终能够保持平整，不影响光刻等后续工艺，提升了良率和在线产量。

主权项

一种防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法，包括步骤：A.提供一半导体衬底（101），所述半导体衬底（101）系用于多层离子注入、多层外延生长形成超结结构；B.在所述半导体衬底（101）的背面形成一第一背封保护层（102），所述第一背封保护层（102）为正硅酸乙酯层；C.在所述第一背封保护层（102）的表面形成一第二背封保护层（103）。