[发明专利]EEPROM及其存储阵列在审
| 申请号： | 201410078700.2 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103811060A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 顾靖;孔蔚然;张博;张雄;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种EEPROM及其存储阵列，所述存储阵列包括至少一个字节存储区域；所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元，所述存储单元包括栅极、漏极以及源极，M为正整数；其中，位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线，位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线，位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。本发明技术方案提供的EEPROM及其存储阵列通过将位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线、将源线按照列方向排列，缩小了所述EEPROM的体积。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 及其 存储 阵列 | ||
【主权项】：
一种EEPROM存储阵列，其特征在于，包括至少一个字节存储区域；所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元，所述存储单元包括栅极、漏极以及源极，M为正整数；其中，位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线，位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线，位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。
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