[发明专利]闪存的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410078727.1 申请日: 2014-03-05
公开(公告)号: CN103811306A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 李占斌 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/8247
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张亚利;骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种闪存的形成方法,包括:提供工作台,其包括:反应室、及设有可打开保护盖的晶圆装载卸载室,反应室具有排气口、与排气口连接的管道、和管道连接的泵,管道上设有位于排气口下游、位于泵上游的控制阀,保护盖在打开状态下,反应室和晶圆装载卸载室直接相通;利用高温热氧化方法在形成有闪存栅极的晶圆上形成覆盖晶圆及栅极的氧化硅层,包括:向反应室内通入反应气体,控制阀和泵处于第一开启状态,以控制反应室内的压力,反应气体包括氧源气体和含氯硅源气体;形成氧化硅层之后,打开保护盖,使控制阀和泵处于第二开启状态,将晶圆由反应室搬送至晶圆装载卸载室。解决了现有闪存的数据保持力及耐久力性能不佳的问题。
搜索关键词: 闪存 形成 方法
【主权项】:
一种闪存的形成方法,其特征在于,包括:提供工作台,所述工作台包括:反应室、及设有可打开保护盖的晶圆装载卸载室,所述反应室具有排气口、与所述排气口连接的管道、和所述管道连接的泵,所述管道上设有位于排气口下游、位于泵上游的控制阀,所述保护盖在打开状态下,所述反应室和晶圆装载卸载室直接相通,所述保护盖在关闭状态下,所述反应室和晶圆装载卸载室彼此隔离;利用高温热氧化方法在形成有闪存栅极的晶圆上形成覆盖所述晶圆及栅极的氧化硅层,包括:向所述反应室内通入反应气体,所述控制阀和泵处于第一开启状态,以控制所述反应室内的压力,所述反应气体包括氧源气体和含氯硅源气体;形成所述氧化硅层之后,打开所述保护盖,使所述控制阀和泵处于第二开启状态,将所述晶圆由所述反应室搬送至晶圆装载卸载室。
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