[发明专利]一种测量LED内量子效率的方法无效
申请号: | 201410079018.5 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103808497A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 安平博;赵丽霞;魏学成;路红喜;王军喜;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于半导体照明LED检测技术领域,公开了一种测量LED内量子效率的方法,该方法包括:根据LED的几何结构,通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率ηLEE;将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装,测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系,求出LED外量子效率ηEXE;以及根据公式ηEXE=ηIQEηLEE计算出LED内量子效率ηIQE。该方法简单可靠,不需要复杂的数学运算,能够计算不同电流下的内量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 led 量子 效率 方法 | ||
【主权项】:
一种测量LED内量子效率的方法,其特征在于,该方法包括:根据LED的几何结构,通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率ηLEE;将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装,测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系,求出LED外量子效率ηEXE;以及根据公式ηEXE=ηIQEηLEE计算出LED内量子效率ηIQE。
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