[发明专利]利用氟掺杂技术形成集成电路系统的方法无效
| 申请号： | 201410079169.0 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104037071A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | J·亨治尔;T·巴尔策;R·严;N·萨赛特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及利用氟掺杂技术形成集成电路系统的方法，提供一种用于形成半导体装置的方法，其包含下列步骤：提供栅极结构于半导体基板的有源区中，其中该栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层，形成邻近该栅极结构的侧壁间隔体，以及之后，执行氟植入工艺。也提供一种用于形成CMOS集成电路结构的方法，其包含下列步骤：提供有第一有源区及第二有源区的半导体基板，形成第一栅极结构于该第一有源区中以及第二栅极结构于该第二有源区中，其中每个栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层，形成邻近该第一及该第二栅极结构的每一个的侧壁间隔体，以及之后，执行氟植入工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 掺杂 技术 形成 集成电路 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体装置的方法，其包含下列步骤：提供栅极结构于半导体基板的有源区中，该栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层；形成邻近该栅极结构的侧壁间隔体；以及之后执行氟植入工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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