[发明专利]W形垂直沟道3DNAND闪存及其形成方法

摘要

本发明公开了W形垂直沟道3DNAND闪存及其形成方法，该方法包括：提供衬底及衬垫层；在衬垫层顶部形成多个凹槽；在多个凹槽中形成多个底层管形通道牺牲层；在衬垫层之上形成绝缘层和控制栅层的叠层结构；在叠层结构中形成多个垂直刻蚀孔，垂直刻蚀孔的底部与底层管形通道牺牲层的端部接触；去除底层管形通道牺牲层；淀积形成电荷俘获复合层；填充多晶硅以形成导电沟道；在叠层结构中多个导电沟道的垂直段之间刻蚀多个中央沟槽；向中央沟槽中填充绝缘介质；在叠层结构之上形成多个顶层管形通道，每个顶层管形通道连接两个不同的导电沟道；形成源线和位线。本发明可以得到存储器阵列位线长度可以灵活设置的W形垂直沟道3DNAND闪存，电学性能良好。

主权项

一种W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上形成衬垫层；在所述衬垫层顶部形成多个凹槽；在所述多个凹槽中淀积第一材料以形成多个底层管形通道牺牲层；在所述衬垫层上交替淀积第二材料和第三材料以形成绝缘层和控制栅层的叠层结构；在所述叠层结构中形成多个垂直刻蚀孔，所述垂直刻蚀孔的底部与所述底层管形通道牺牲层的端部接触；去除所述底层管形通道牺牲层，以使所述底层管形通道牺牲层两端的所述垂直刻蚀孔连通，形成U形通道；淀积形成电荷俘获复合层，所述电荷俘获复合层覆盖所述多个U形通道的表面；向所述U形沟道填充多晶硅以形成导电沟道；在所述叠层结构中多个导电沟道的垂直段之间刻蚀多个中央沟槽，以将各个所述导电沟道的垂直段周围的所述叠层结构分隔开；向所述中央沟槽中填充绝缘介质；在所述叠层结构之上形成多个顶层管形通道，每个所述顶层管形通道连接两个不同的导电沟道；形成源线和位线。