[发明专利]用于非易失性存储器系统中的失效管理的对称数据复制在审
申请号: | 201410079549.4 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN104036823A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | R·S·斯考勒;J·C·坎宁汉姆 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/26;G11C29/42 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于非易失性存储器系统中的失效管理的对称数据复制。公开了用于非易失性存储器(NVM)系统(200)中的失效管理的多个数据子系统(232、234)内的数据的对称复制的系统及方法。所公开的实施例执行到多个不同数据块子系统(232、234)的对称写操作,以便创建复制子系统。由于子系统对称地操作,地址位置和指针对于每个子系统来说是相同。如果在一个子系统内的数据中检测到错误,则位于复制系统内的相同对称位置处的复制数据可以被使用。从而,NVM系统的耐久性和寿命被大大提高。因此这些延长寿命的NVM系统可以被用来例如仿真EEPROM(电可擦可编程只读存储器)系统。 | ||
搜索关键词: | 用于 非易失性存储器 系统 中的 失效 管理 对称 数据 复制 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储器NVM系统,包括:多个数据子系统,每个数据子系统包括多个NVM单元,并且被配置以将多个数据记录存储在所述多个NVM单元内;以及存储器控制电路,被配置以引导到所述多个数据子系统内的NVM单元的对称存储器写操作,并且被配置以引导从多个数据子系统的选定的一个内的NVM单元的存储器读操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410079549.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。