[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410079574.2 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037281A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 桥本玲;木村重哉;黄钟日;胜野弘;斋藤真司;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/38;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括光反射层、第一至第四半导体层、第一和第二发光层、以及第一光传输层。第二半导体层设置在第一半导体层和光反射层之间。第一发光层设置在第一和第二半导体层之间。第一光传输层设置在第二半导体层和光反射层之间。第三半导体层设置在第一光传输层和光反射层之间。第四半导体层设置在第三半导体层和光反射层之间。第二发光层设置在第三和第四半导体层之间。光反射层电连接到从第三和第四半导体层中选择的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：光反射层；第一发光单元，包括第一半导体层，设置在所述第一半导体层和所述光反射层之间的第二半导体层，所述第二半导体层的导电类型不同于所述第一半导体层的导电类型，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一发光层，所述第一发光层配置为发出第一峰值波长的第一光，以及设置在所述第二半导体层和所述光反射层之间的第一光传输层，所述第一光传输层对于所述第一光是光透射性的；以及第二发光单元，包括设置在所述第一光传输层和所述光反射层之间的第三半导体层，设置在所述第三半导体层和所述光反射层之间的第四半导体层，所述第四半导体层的导电类型不同于所述第三半导体层的导电类型，以及设置在所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二发光层，所述第二发光层配置为发出不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长的第二光；所述光反射层电连接到从所述第三半导体层和所述第四半导体层中选择的一个，所述第一光传输层的厚度不小于所述第二发光层和所述光反射层之间的距离的10倍。
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