[发明专利]一种制备氮掺杂石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201410079966.9 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103864064A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 简基康;杜文伟;吴荣 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型制备氮掺杂石墨烯的新方法，是通过以下工艺过程实现的：将经过表面去污处理的商业购买的SiC晶片置于高温管式炉的中心位置，密闭管式炉，在Ar气保护下加热到1500oC后，通入200sccm的NH3反应15-120min，随后在Ar气保护下冷却至室温，在SiC晶片的表面得到了氮掺杂的石墨烯。本发明的特点是：在常压、氨气环境下在SiC晶片表面一步得到了氮掺杂的石墨烯，氮掺杂的石墨烯可作为一种优异的光电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 掺杂 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种常压高温氨气环境下制作氮掺杂石墨烯的新方法，其特征在于样品的制备是在常压氨气的环境下进行，并且通过以下工艺过程实现：将商业购买的碳化硅单晶片表面去污后将晶片放在石墨垫片上，随后放入高温管式炉内一定位置，密封高温管式炉，然后在Ar氛围中将高温管式炉升温至预设温度，停止通Ar，转为通入预定流量的NH3，反应15‑120min，最后在Ar保护下自然冷却至室温，在SiC晶片表面得到氮掺杂的石墨烯。
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