[发明专利]绝缘结构、形成绝缘结构的方法和包括这种绝缘结构的芯片级隔离器有效
| 申请号： | 201410080008.3 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037172B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | L·B·欧苏利万 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 一种形成绝缘结构的方法，其包括形成绝缘区域以及在所述绝缘区域的表面形成表面结构，所述绝缘区域包括嵌在所述绝缘区域内的至少一个电气或电子组件或其一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘结构 绝缘区域 表面形成表面 电子组件 隔离器 芯片级 | ||
【主权项】：
1.一种形成绝缘结构的方法，包括：形成包括嵌在绝缘区域内的至少一个电气或电子组件或其一部分的绝缘区域，以及在所述绝缘区域的表面上形成具有同心沟槽的表面结构，其中所述同心沟槽的图案包裹所述至少一个电气或电子组件或其一部分的接合焊盘，所述绝缘区域通过沉积多个绝缘层来形成，其中每个绝缘层位于每个前一绝缘层之上并且围绕该前一绝缘层的侧面延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
