[发明专利]形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201410080562.1 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037138B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 林诗轩;陈泽忠;萧永宽;方金明;潘弈豪;廖俊和 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56;H01L21/60;H05K3/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;胡莉莉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法。半导体器件具有多个半导体管芯。第一预制绝缘膜被布置在半导体管芯上。在第一预制绝缘膜上形成导电层。在半导体管芯和第一预制绝缘膜上形成互连结构。在半导体管芯上层压第一预制绝缘膜。第一预制绝缘膜包括玻璃布料、玻璃纤维或玻璃填料。半导体管芯被嵌入第一预制绝缘膜内，其中第一预制绝缘膜覆盖半导体管芯的第一表面和侧表面。互连结构被形成在与第一表面相对的半导体管芯的第二表面上。在半导体管芯上布置第一预制绝缘膜之后，去除第一预制绝缘膜的一部分。在第一预制绝缘膜上布置第二预制绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 超高 密度 嵌入式 半导体 管芯 封装 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供增强绝缘膜；在所述增强绝缘膜的第一表面上布置导电箔；在与所述导电箔相对的所述增强绝缘膜上设置半导体管芯，其中所述半导体管芯的有源表面背离所述增强绝缘膜；在所述半导体管芯和所述增强绝缘膜上设置预制绝缘膜；将所述预制绝缘膜层压到所述增强绝缘膜上以将所述半导体管芯嵌入所述预制绝缘膜内，其中所述半导体管芯的有源表面与所述预制绝缘膜的与所述增强绝缘膜相对的第一表面共面；在所述半导体管芯的有源表面和与所述导电箔相对的所述预制绝缘膜上形成互连结构； 以及穿过所述互连结构，所述预制绝缘膜，所述增强绝缘膜和所述导电箔进行单片化。
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