[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410081136.X | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104900543B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，提供基底，所述基底上形成有层间介电层；图案化所述层间介电层，以在所述层间介电层中形成接合焊盘凹槽；在所述接合焊盘凹槽的侧壁上形成间隙壁；选用接合焊盘材料填充所述接合焊盘凹槽，以形成接合焊盘；蚀刻所述间隙壁，以去除部分所述间隙壁，在所述层间介电层和所述接合焊盘之间形成凹槽。本发明为了解决现有技术中存在的问题，在目前的工艺流程中，在不影响图案化密度（pattern density）情况下，在不增加接合（Bonding）对准精度的情况下，增加接合（bonding）工艺的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层；图案化所述层间介电层，以在所述层间介电层中形成接合焊盘凹槽；在所述接合焊盘凹槽的侧壁上形成间隙壁；选用接合焊盘材料填充所述接合焊盘凹槽，以形成接合焊盘；蚀刻所述间隙壁，以去除部分所述间隙壁，在所述层间介电层和所述接合焊盘之间形成凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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