[发明专利]一种抗辐照的4T有源像素及制备方法有效
申请号: | 201410081568.0 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN103872064A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 曹琛;张冰;吴龙胜;王俊峰 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710068 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种抗辐照的4T有源像素及制备方法,包括复位管、电荷传输管、源跟随器、行选开关、钳位光电二极管和浮空扩散节点;其中,钳位二极管的光敏区N区、电荷传输管的沟道、浮空扩散节点与有源区边缘之间设置有隔离区,隔离区相连通并注入P型杂质层。通过将钳位二极管PPD光敏区N区、电荷传输管沟道以及浮空扩散节点FD掺杂区与STI边缘隔离开一定距离,在隔离区域注入新P型杂质层,抑制了4T像素结构中总剂量辐照最敏感的两个节点的暗电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 辐照 有源 像素 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种抗辐照的4T有源像素,其特征在于,包括复位管、电荷传输管、源跟随器、行选开关、钳位光电二极管和浮空扩散节点;其中,钳位二极管的光敏区N区、电荷传输管的沟道、浮空扩散节点与有源区边缘之间设置有隔离区,隔离区相连通并注入P型杂质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所,未经中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410081568.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光二极管装置及其制造方法
- 下一篇:一种法兰阀门结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的