[发明专利]包含金属‑绝缘层‑金属电容器的半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410082124.9 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104051231B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | M·利埃博;R·普菲茨纳 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包含金属‑绝缘层‑金属电容器的半导体结构的形成方法，公开一种方法，包括形成第一电性绝缘材料层在半导体结构上。形成凹口在该第一电性绝缘材料层中。沉积电容层堆栈在该第一电性绝缘材料层上。该电容层堆栈包含一层或多层底部电极层、介电层、以及顶部电极层，其中，该电容层堆栈的第一部分是设置在该凹口中，且该电容层堆栈的第二部分是设置在该第一电性绝缘材料层邻近该凹口的部分上。实行化学机械研磨制程。该化学机械研磨制程移除该电容层堆栈的该第二部分，其中，该电容层堆栈的该第一部分未被移除。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 金属 绝缘 电容器 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，包括：形成第一电性绝缘材料层在半导体结构上；形成凹口在该第一电性绝缘材料层中；沉积电容层堆栈在该第一电性绝缘材料层上，该电容层堆栈包含一层或多层底部电极层、介电层、以及顶部电极层，其中，该电容层堆栈的第一部分是设置在该凹口中，且该电容层堆栈的第二部分是设置在该第一电性绝缘材料层邻近该凹口的部分上；实行化学机械研磨制程，该化学机械研磨制程移除该电容层堆栈的该第二部分，其中，该电容层堆栈的该第一部分的至少相当部分未被移除；以及在该化学机械研磨制程之后，从该电容层堆栈的该第一部分形成电容器，该电容器包含电容区域以及邻接该电容区域的底部电极接触区域，形成该电容器包含移除该顶部电极层在该底部电极接触区域中的一部分以及该介电层在该底部电极接触区域中的一部分，使得该一层或多层底部电极层中的一者曝露在该底部电极接触区域中，其中，该顶部电极层以及该介电层在该电容区域中的部分未被移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
