[发明专利]一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法

摘要

本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明克服现有技术存在的溶液析出时溶剂的污染和反应副产物难以去除的问题。本发明提供了一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物黄色氧化汞（HgO）和氢碘酸（HI）为基本原料，通过调整加入到体系HI的浓度，控制HgO和HI的反应速率，从而生成细小的碘化汞颗粒。生成的碘化汞颗粒在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。

主权项

一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法，依次包括下述步骤：a、基片的准备：裁割ITO或TFT玻璃制成基片，按照常规处理方法得到洁净光滑的基片；b、反应溶液的制备：在超净条件下，首先将HI酸（优级纯）加入水电阻率为18MΩ的高纯去离子水中进行稀释，稀释至HI在水中的浓度为20%~30%，并将稀释过的HI酸置于带有搅拌功能的恒温制备装置中进行搅拌；然后称取高纯（4N）黄色氧化汞（HgO）粉末，将HgO粉末按照[Hg²⁺]：[I^‑]=1：(2~8)的摩尔浓度比缓慢的加入恒温制备装置中；最后在制备装置中加入高纯度去离子水，使HgO在溶液中浓度范围为20~50g/L，形成反应溶液体系，溶液配好后继续搅拌0.5~1h后结束；c、液相沉积：将洁净的基片水平放入溶液底部进行沉积生长，液相沉积过程中，生长环境温度为20~80℃，沉积时间为0.5h~72h，达到计划的沉积时间后用移液管小心的将剩余残液从制备装置中移出，然后取出生长好的基片，此时基片上有已有一层红色的多晶碘化汞籽晶层；d、籽晶层处理：将生长好的多晶碘化汞籽晶层放入恒温干燥箱中，在氮气气氛下恒温干燥1~2h，然后在真空条件下保存。