[发明专利]一种LED芯片制作方法无效
| 申请号： | 201410082788.5 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103872192A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 汤乐;刘慰华;陈伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片制作方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供一衬底，依次在衬底上生长N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层，形成LED外延结构；S2、对LED外延结构在700～900℃温度下进行高温退火；S3、在退火后的LED外延结构上生长接触层；S4、在接触层和P型半导体层上分别制作P电极和N电极。本发明通过在P型半导体层和接触层中间引入一步炉内高温退火的步骤，可以有效的降低LED芯片的电压，同时获得较高的P-GaN活化效率，提高芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、提供一衬底，依次在衬底上生长N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层，形成LED外延结构；S2、对LED外延结构在700～900℃温度下进行高温退火；S3、在退火后的LED外延结构上生长接触层；S4、在接触层和P型半导体层上分别制作P电极和N电极。
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