[发明专利]一种GaN异质结功率二极管在审
| 申请号： | 201410083056.8 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103872145A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周琦;汪玲;鲍旭;牟靖宇;施媛媛;尉中杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，涉及GaN异质结功率二极管。本发明中阳极的肖特基金属淀积在凹槽中而不是直接淀积在异质结表面，并且在凹槽的右下方靠近阴极一侧淀积电介质在阳极形成结终端结构，并通过刻蚀势垒层降低肖特基金属下方沟道中的二维电子气（2DEG）的浓度实现器件具有极低的正向开启电压。本发明的有益效果为，具有低开启电压、低导通电阻、高导通电流、高反向耐压和低功耗等优点，同时其制造工艺与传统GaN异质结HEMT器件兼容，可以实现与传统GaN异质结HEMT器件的单片集成。本发明尤其适用于GaN异质结功率二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 异质结 功率 二极管 | ||
【主权项】：
一种GaN异质结功率二极管，包括衬底基片（1）、设置在衬底基片（1）上端面的GaN层（2）、设置在GaN层（2）上端面的AlMN层（3），所述GaN层（2）和AlMN层（3）构成异质结，所述AlMN层（3）上端面的两侧分别设置有第一肖特基金属（5）和第二肖特基金属（9），所述第一肖特基金属（5）和第二肖特基金属（9）之间设置有钝化层（7），所述第一肖特基金属（5）与AlMN层（3）之间设置有第一欧姆接触层（4），其特征在于，所述AlMN层（3）与第二肖特基金属（9）的接触面设置有凹槽（8），所述凹槽（8）中靠近第一肖特基金属（5）的一侧设置有电介质（6），另一侧设置第二欧姆接触层（10）。
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