[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201410083251.0 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN104037195B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 千田尚之;道前芳隆;横山浩平;二星学;塚本优人;井上智;川户伸一;菊池克浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置,包括:绝缘层416;形成在所述绝缘层上的第一下部电极421a;形成在所述绝缘层上的第二下部电极421b;形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的结构物419;形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第一下部电极之间的第一隔壁418a;形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第二下部电极之间的第二隔壁418b;形成在所述第一下部电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁及所述第二下部电极上的第一发光单元423a;形成在所述第一发光单元上的中间层424;形成在所述中间层上的第二发光单元423b;以及形成在所述第二发光单元上的上部电极422。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,包括:绝缘层;所述绝缘层上的第一电极;所述绝缘层上的第二电极;所述绝缘层上且所述第一电极与所述第二电极之间的结构物;所述第一电极与所述结构物之间的第一隔壁,该第一隔壁覆盖所述第一电极的端部;所述第二电极与所述结构物之间的第二隔壁,该第二隔壁覆盖所述第二电极的端部;所述第一电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁和所述第二电极上的第一发光单元;所述第一发光单元上的中间层;夹着所述中间层位于所述第一发光单元上的第二发光单元;以及所述第二发光单元上的第三电极,其中,所述结构物使用与所述第一电极同一层形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的