[发明专利]一种叔羟基封端的聚硅氧烷的合成方法有效

专利信息
申请号: 201410083529.4 申请日: 2014-03-07
公开(公告)号: CN103897194A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 范宏;李伯耿;张延延 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C08G77/38 分类号: C08G77/38;C08G77/12;C08G77/08
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种叔羟基封端的聚硅氧烷的合成方法。用四甲基二硅氧烷作为封端剂,在酸性催化剂下与八甲基环四硅氧烷D4开环聚合,制备得到端氢聚硅氧烷再与不饱和的含有叔羟基的烯醇进行硅氢加成反应,得到叔羟基封端的聚硅氧烷。本发明该产物十分稳定,可以长期存放。在硅氢加成阶段并不需要羟基保护,操作过程简单,易于掌握。制备的聚硅氧烷两端均只含有一个羟基,对于制备线性的嵌段聚合物具有重要影响,以用于聚氨酯、聚酰胺、聚酯等高分子材料的改性。
搜索关键词: 一种 羟基 聚硅氧烷 合成 方法
【主权项】:
一种叔羟基封端的聚硅氧烷的合成方法,其特征在于:方法的步骤如下:1)利用四甲基二硅氧烷作为封端剂,在足量的酸性催化剂的催化下与八甲基环四硅氧烷D4开环聚合,制备得到端氢聚硅氧烷,其中四甲基二硅氧烷和八甲基环四硅氧烷D4的摩尔比为1:n/4,n为大于0的整数;2)利用步骤1)得到端氢聚硅氧烷与不饱和的含有叔羟基的烯醇进行硅氢加成反应,得到叔羟基封端的聚硅氧烷。
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